欢迎光临东莞市瓷谷电子科技有限公司 关注微信 收藏本站 网站地图 XML地图

东莞瓷谷安规电容器厂家专业生产-陶瓷-X2-Y1-Y2电容器

安规陶瓷电容器生产厂家——瓷谷科技

安规电容器 陶瓷电容器 瓷片电容器 薄膜电容器

联系电话
全国咨询热线

0769-85751806

CT81-5KV-Y5P-681K高压瓷片电容器

您的位置:首页 - 产品分类 - 高压瓷片电容器 - CT81高压瓷片电容器

CT81-5KV-Y5P-681K高压瓷片电容器视频+图片

CT81-5KV-Y5P-681K高压瓷片电容器

CT81-5KV-Y5P-681K高压瓷片电容器资料下载

CT81-5KV-Y5P-681K高压瓷片电容器详细参数:


应用领域:
小家电,冲电器,LED驱动电源,适配器类电源,开关电源,电机马达,电动工具,新能源充电桩,光伏逆变装置


CT81-5KV-Y5P-681K高压瓷片电容器介绍:

产品展示 产品展示 产品展示 产品展示 产品展示 产品展示 产品展示 产品展示 产品展示 产品展示


知识推荐

瓷片电容技术的发展历程:

1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容;

30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容;

1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数 的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后,开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发。

1970年,随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件,而其中技术参数也是学者们研究的重点。

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右。

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠。陶瓷材料有几个种类。自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB(铅)退出瓷片电容技术参数领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、 BaTiO3, CaZrO3(锆酸钙)等。和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点。

由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,而且电容量范围较宽(一般有几个PF到上百μF),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整。

高压瓷片电容技术参数品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×0.5mm)封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容 ;按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容;按工作电压可分为低压和高压瓷片电容 ;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。

瓷片电容的分类:

瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数。

Ⅰ类瓷片电容技术参数(ClassⅠ ceramic capacitor),过去称高频瓷片电容技术参数 (High-freqency ceramic capacitor),是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容。它特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿。

Ⅱ类瓷片电容技术参数(Class Ⅱ ceramic capacitor)过去称为为低频瓷片电容技术参数 (Low frequency cermic capacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容,因此也称铁电瓷片电容技术参数 。这类电容的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有: X7R、 X5R 、 Y5V、Z5U

其中:X7R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字7位最高工作温度+125℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;

X5R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;

Y5V表示为:第一位Y为最低工作温度-30℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%,-82%±15%。

Z5U表示为:第一位Z为最低工作温度+10℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%,-56%。


此文关键词:CT81-5KV-Y5P-681K高压瓷片电容,CT81高压瓷片电容器,高压瓷片电容